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- 品番:
- SIB413DK-T1-GE3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 20V 9A SC75-6.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-RF and トランジスタ-JFETを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SIB413DK-T1-GE3 electronic components. SIB413DK-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIB413DK-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SIB413DK-T1-GE3 製品の属性
品番 :
SIB413DK-T1-GE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET P-CH 20V 9A SC75-6
シリーズ :
TrenchFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
9A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
2.5V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
75 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
7.63nC @ 5V
Vgs（最大） :
±12V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
357pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
2.4W (Ta), 13W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PowerPAK® SC-75-6L Single
パッケージ/ケース :
PowerPAK® SC-75-6L
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