[832個在庫]
- 品番:
- FCD4N60TM_WS
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, パワードライバーモジュール, サイリスタ-SCR, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor FCD4N60TM_WS electronic components. FCD4N60TM_WS can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FCD4N60TM_WS, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FCD4N60TM_WS 製品の属性
品番 :
FCD4N60TM_WS
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
シリーズ :
SuperFET™
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
3.9A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
1.2 Ohm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
16.6nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
540pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
50W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
D-Pak
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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