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ON Semiconductor - NDS336P

KEY Part #: K6411339

[13825個在庫]

    品番:
    NDS336P
    メーカー:
    ON Semiconductor
    詳細な説明:
    MOSFET P-CH 20V 1.2A SSOT3.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-RF, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in ON Semiconductor NDS336P electronic components. NDS336P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NDS336P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    NDS336P 製品の属性

    品番 : NDS336P
    メーカー : ON Semiconductor
    説明 : MOSFET P-CH 20V 1.2A SSOT3
    シリーズ : -
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : P-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 20V
    電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 1.2A (Ta)
    駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 2.7V, 4.5V
    Rds On（最大）@ Id、Vgs : 200 mOhm @ 1.3A, 4.5V
    Vgs（th）（最大）@ Id : 1V @ 250µA
    ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 8.5nC @ 4.5V
    Vgs（最大） : ±8V
    入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 360pF @ 10V
    FET機能 : -
    消費電力（最大） : 500mW (Ta)
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : SuperSOT-3
    パッケージ/ケース : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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