[874個在庫]
- 品番:
- IXTY12N06T
- メーカー:
- IXYS
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 60V 12A TO-252.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, サイリスタ-SCR, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-特別な目的, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and サイリスタ-SCR-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in IXYS IXTY12N06T electronic components. IXTY12N06T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTY12N06T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXTY12N06T 製品の属性
品番 :
IXTY12N06T
メーカー :
IXYS
説明 :
MOSFET N-CH 60V 12A TO-252
シリーズ :
TrenchMV™
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
12A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
85 mOhm @ 6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 25µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
3.4nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
256pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
33W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-252
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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