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ON Semiconductor - FDS8449-F085P

KEY Part #: K6400962

[3216個在庫]

    品番:
    FDS8449-F085P
    メーカー:
    ON Semiconductor
    詳細な説明:
    NMOS SO8 40V 29 MOHM.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in ON Semiconductor FDS8449-F085P electronic components. FDS8449-F085P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDS8449-F085P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FDS8449-F085P 製品の属性

    品番 : FDS8449-F085P
    メーカー : ON Semiconductor
    説明 : NMOS SO8 40V 29 MOHM
    シリーズ : Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
    部品ステータス : Active
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 40V
    電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 7.6A (Ta)
    駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 4.5V, 10V
    Rds On（最大）@ Id、Vgs : 29 mOhm @ 7.6A, 10V
    Vgs（th）（最大）@ Id : 3V @ 250µA
    ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 11nC @ 5V
    Vgs（最大） : ±20V
    入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 760pF @ 20V
    FET機能 : -
    消費電力（最大） : 5W (Ta)
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : 8-SOIC
    パッケージ/ケース : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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