Renesas Electronics America - RJK5013DPE-00#J3

KEY Part #: K6403997

[2164個在庫]


    品番:
    RJK5013DPE-00#J3
    メーカー:
    Renesas Electronics America
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 500V 14A LDPAK.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター) and ダイオード-ツェナー-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Renesas Electronics America RJK5013DPE-00#J3 electronic components. RJK5013DPE-00#J3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RJK5013DPE-00#J3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    RJK5013DPE-00#J3 製品の属性

    品番 : RJK5013DPE-00#J3
    メーカー : Renesas Electronics America
    説明 : MOSFET N-CH 500V 14A LDPAK
    シリーズ : -
    部品ステータス : Active
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 500V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 14A (Ta)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 465 mOhm @ 7A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : -
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 38nC @ 10V
    Vgs(最大) : ±30V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1450pF @ 25V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 100W (Tc)
    動作温度 : 150°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : 4-LDPAK
    パッケージ/ケース : SC-83

    あなたも興味があるかもしれません
    • ZVP0120ASTZ

      Diodes Incorporated

      MOSFET P-CH 200V 0.11A TO92-3.

    • 2SK3309(TE24L,Q)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 450V 10A TO220SM.

    • FQD3N50CTF

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK.

    • IRLR3715TRRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 20V 54A DPAK.

    • IXTY55N075T

      IXYS

      MOSFET N-CH 75V 55A TO-252.

    • HUF75829D3S

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 150V 18A DPAK.