[2716個在庫]
- 品番:
- HAT2131R-EL-E
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 8SO.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-IGBT-モジュール and トランジスタ-IGBT-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Renesas Electronics America HAT2131R-EL-E electronic components. HAT2131R-EL-E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HAT2131R-EL-E, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
HAT2131R-EL-E 製品の属性
品番 :
HAT2131R-EL-E
メーカー :
Renesas Electronics America
説明 :
MOSFET N-CH 8SO
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
350V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
900mA (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
3 Ohm @ 450mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
-
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
20nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
460pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
2.5W (Ta)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SOP
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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