STMicroelectronics - STP12NM60N

KEY Part #: K6415608

[12351個在庫]


    品番:
    STP12NM60N
    メーカー:
    STMicroelectronics
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 600V 10A TO-220.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, サイリスタ-トライアック, パワードライバーモジュール, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ and トランジスタ-IGBT-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in STMicroelectronics STP12NM60N electronic components. STP12NM60N can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STP12NM60N, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    STP12NM60N 製品の属性

    品番 : STP12NM60N
    メーカー : STMicroelectronics
    説明 : MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
    シリーズ : MDmesh™ II
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 600V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 10A (Tc)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 410 mOhm @ 5A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 30.5nC @ 10V
    Vgs(最大) : ±25V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 960pF @ 50V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 90W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Through Hole
    サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220AB
    パッケージ/ケース : TO-220-3

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