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- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 40V 3.9A VS6 2-3T1A.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-整流器-アレイ and サイリスタ-DIAC、SIDACを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TPC6006-H(TE85L,F) electronic components. TPC6006-H(TE85L,F) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPC6006-H(TE85L,F), Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TPC6006-H(TE85L,F) 製品の属性
品番 :
TPC6006-H(TE85L,F)
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
MOSFET N-CH 40V 3.9A VS6 2-3T1A
シリーズ :
U-MOSIII-H
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
40V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
3.9A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
75 mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.3V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
4.4nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
251pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
700mW (Ta)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
VS-6 (2.9x2.8)
パッケージ/ケース :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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