Toshiba Semiconductor and Storage - 2SK2266(TE24R,Q)

KEY Part #: K6407784

[853個在庫]


    品番:
    2SK2266(TE24R,Q)
    メーカー:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 60V 45A TO220SM.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター) and ダイオード-ツェナー-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2266(TE24R,Q) electronic components. 2SK2266(TE24R,Q) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 2SK2266(TE24R,Q), Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    2SK2266(TE24R,Q) 製品の属性

    品番 : 2SK2266(TE24R,Q)
    メーカー : Toshiba Semiconductor and Storage
    説明 : MOSFET N-CH 60V 45A TO220SM
    シリーズ : -
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 60V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 45A (Ta)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4V, 10V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 30 mOhm @ 25A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 2V @ 1mA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 60nC @ 10V
    Vgs(最大) : ±20V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1800pF @ 10V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 65W (Tc)
    動作温度 : 150°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220SM
    パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

    あなたも興味があるかもしれません