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- 品番:
- IRF7807VD1
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-RF, サイリスタ-SCR and ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRF7807VD1 electronic components. IRF7807VD1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF7807VD1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF7807VD1 製品の属性
品番 :
IRF7807VD1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
シリーズ :
FETKY™
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
8.3A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
25 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
14nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
-
FET機能 :
Schottky Diode (Isolated)
消費電力（最大） :
2.5W (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SO
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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