ALD212902SAL 価格設定（USD） [28083個在庫]
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- 品番:
- ALD212902SAL
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and サイリスタ-DIAC、SIDACを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
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ALD212902SAL 製品の属性
品番 :
ALD212902SAL
メーカー :
Advanced Linear Devices Inc.
説明 :
MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC
シリーズ :
EPAD®, Zero Threshold™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
10.6V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
80mA
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
-
Vgs（th）（最大）@ Id :
20mV @ 10µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
-
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
-
パワー-最大 :
500mW
動作温度 :
0°C ~ 70°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SOIC
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