ZXMHC3A01T8TA 価格設定（USD） [94728個在庫]
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- 品番:
- ZXMHC3A01T8TA
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.7A/2A SM8.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ and サイリスタ-SCR-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated ZXMHC3A01T8TA electronic components. ZXMHC3A01T8TA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ZXMHC3A01T8TA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
ZXMHC3A01T8TA 製品の属性
品番 :
ZXMHC3A01T8TA
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.7A/2A SM8
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
2.7A, 2A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
120 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
3.9nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
190pF @ 25V
パワー-最大 :
1.3W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
SOT-223-8
サプライヤーデバイスパッケージ :
SM8
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