DMG1016UDW-7 価格設定（USD） [974181個在庫]
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- 品番:
- DMG1016UDW-7
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET N/P-CH 20V SOT363.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-ツェナー-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated DMG1016UDW-7 electronic components. DMG1016UDW-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMG1016UDW-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMG1016UDW-7 製品の属性
品番 :
DMG1016UDW-7
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET N/P-CH 20V SOT363
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N and P-Channel
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
1.07A, 845mA
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
450 mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
0.74nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
60.67pF @ 10V
パワー-最大 :
330mW
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
サプライヤーデバイスパッケージ :
SOT-363
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