SSM6P35FE,LM 価格設定（USD） [4110個在庫]
- 4,000 pcs$0.03393
- 品番:
- SSM6P35FE,LM
- 詳細な説明:
- MOSFET 2NCH 20V 100MA ES6.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター） and ダイオード-整流器-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P35FE,LM electronic components. SSM6P35FE,LM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SSM6P35FE,LM, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SSM6P35FE,LM 製品の属性
品番 :
SSM6P35FE,LM
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
MOSFET 2NCH 20V 100MA ES6
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 P-Channel (Dual)
FET機能 :
Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
100mA
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
8 Ohm @ 50mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
-
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
12.2pF @ 3V
パワー-最大 :
150mW
動作温度 :
150°C
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
SOT-563, SOT-666
サプライヤーデバイスパッケージ :
ES6
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