SSM6N15AFE,LM 価格設定（USD） [1416991個在庫]
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- 品番:
- SSM6N15AFE,LM
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, パワードライバーモジュール, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-SCR, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N15AFE,LM electronic components. SSM6N15AFE,LM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SSM6N15AFE,LM, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SSM6N15AFE,LM 製品の属性
品番 :
SSM6N15AFE,LM
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
100mA
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
4 Ohm @ 10mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.5V @ 100µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
-
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
7.8pF @ 3V
パワー-最大 :
150mW
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
SOT-563, SOT-666
サプライヤーデバイスパッケージ :
ES6 (1.6x1.6)
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