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Microsemi Corporation - APTM100H18FG

KEY Part #: K6522677

APTM100H18FG 価格設定（USD） [437個在庫]

  • 1 pcs$106.50367
  • 100 pcs$105.97380
品番:
APTM100H18FG
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
MOSFET 4N-CH 1000V 43A SP6.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Microsemi Corporation APTM100H18FG electronic components. APTM100H18FG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTM100H18FG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTM100H18FG 製品の属性

品番 : APTM100H18FG
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : MOSFET 4N-CH 1000V 43A SP6
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : 4 N-Channel (H-Bridge)
FET機能 : Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 1000V (1kV)
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 43A
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 210 mOhm @ 21.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 5V @ 5mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 372nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 10400pF @ 25V
パワー-最大 : 780W
動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : SP6
サプライヤーデバイスパッケージ : SP6

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