Microsemi Corporation - APTM100H18FG

KEY Part #: K6522677

APTM100H18FG 価格設定（USD） [437個在庫]

1 pcs$106.50367
100 pcs$105.97380

品番:: APTM100H18FG

メーカー:: Microsemi Corporation

詳細な説明:: MOSFET 4N-CH 1000V 43A SP6.

メーカーの標準リードタイム:: 在庫あり

賞味期限:: 一年

チップから:: 香港

RoHS:

支払方法:

発送方法:

家族のカテゴリー:: KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-JFET, トランジスタ-IGBT-アレイ and サイリスタ-SCR-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。

競争上の優位性:: We specialize in Microsemi Corporation APTM100H18FG electronic components. APTM100H18FG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTM100H18FG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

APTM100H18FG 製品の属性

品番 : APTM100H18FG

メーカー : Microsemi Corporation

説明 : MOSFET 4N-CH 1000V 43A SP6

シリーズ : -

部品ステータス : Active

FETタイプ : 4 N-Channel (H-Bridge)

FET機能 : Standard

ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 1000V (1kV)

電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 43A

Rds On（最大）@ Id、Vgs : 210 mOhm @ 21.5A, 10V

Vgs（th）（最大）@ Id : 5V @ 5mA

ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 372nC @ 10V

入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 10400pF @ 25V

パワー-最大 : 780W

動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ : Chassis Mount

パッケージ/ケース : SP6

サプライヤーデバイスパッケージ : SP6

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