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Microsemi Corporation - APTM100DSK35T3G

KEY Part #: K6522618

APTM100DSK35T3G 価格設定（USD） [1598個在庫]

  • 1 pcs$27.22101
  • 100 pcs$27.08558
品番:
APTM100DSK35T3G
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Microsemi Corporation APTM100DSK35T3G electronic components. APTM100DSK35T3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTM100DSK35T3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTM100DSK35T3G 製品の属性

品番 : APTM100DSK35T3G
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 N-Channel (Dual)
FET機能 : Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 1000V (1kV)
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 22A
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 420 mOhm @ 11A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 5V @ 2.5mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 186nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 5200pF @ 25V
パワー-最大 : 390W
動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : SP3
サプライヤーデバイスパッケージ : SP3

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