AUIRF7309QTR 価格設定（USD） [126621個在庫]
- 1 pcs$0.29211
- 4,000 pcs$0.26799
- 品番:
- AUIRF7309QTR
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-IGBT-モジュール and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies AUIRF7309QTR electronic components. AUIRF7309QTR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AUIRF7309QTR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
AUIRF7309QTR 製品の属性
品番 :
AUIRF7309QTR
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC
シリーズ :
HEXFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N and P-Channel
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
4A, 3A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
50 mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
25nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
520pF @ 15V
パワー-最大 :
1.4W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SO
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- AUIRF7103Q
- GMM3X180-004X2-SMD
- AON7804_102
- KGF6N05D-400
- AON6978
- AOC4810
- SIZ790DT-T1-GE3
- NTMD6601NR2G
- SI7501DN-T1-E3
- EFC6617R-TF
- SI3981DV-T1-E3
- IRF7103Q
- AO4914L
- AO4803AL
- EFC4627R-A-TR
- SI5943DU-T1-GE3
- SI4814BDY-T1-E3
- IRF6723M2DTRPBF
- SIB914DK-T1-GE3
- DMN5L06V-7
- AO7600
- SI7958DP-T1-E3
- SI5513DC-T1-E3
- SI1970DH-T1-E3
- NTHD3100CT1
- ZXMN6A11DN8TC
- SP8J4TB
- NTMD6N03R2
- IRF7389TR
- BSG0811NDATMA1
- BSG0813NDIATMA1
- HUFA76407DK8T-F085
- QS8J5TR
- SP8K31TB1
- SQS966ENW-T1_GE3
- BUK7K89-100EX
- SI4214DDY-T1-E3
- BUK7K134-100EX
- QH8KA1TCR
- SI1539CDL-T1-GE3