Infineon Technologies - BSD235N L6327

KEY Part #: K6524155

[4651個在庫]


    品番:
    BSD235N L6327
    メーカー:
    Infineon Technologies
    詳細な説明:
    MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-JFET, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-トライアック and サイリスタ-DIAC、SIDACを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Infineon Technologies BSD235N L6327 electronic components. BSD235N L6327 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSD235N L6327, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BSD235N L6327 製品の属性

    品番 : BSD235N L6327
    メーカー : Infineon Technologies
    説明 : MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
    シリーズ : OptiMOS™
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : 2 N-Channel (Dual)
    FET機能 : Logic Level Gate
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 20V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 950mA
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 350 mOhm @ 950mA, 4.5V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 1.2V @ 1.6µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 0.32nC @ 4.5V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 63pF @ 10V
    パワー-最大 : 500mW
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    パッケージ/ケース : 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
    サプライヤーデバイスパッケージ : PG-SOT363-6

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