Diodes Incorporated - DMN2300UFL4-7

KEY Part #: K6522708

DMN2300UFL4-7 価格設定(USD) [570878個在庫]

  • 1 pcs$0.06479
  • 3,000 pcs$0.03537

品番:
DMN2300UFL4-7
メーカー:
Diodes Incorporated
詳細な説明:
MOSFET 2N-CH 20V 2.11A 6DFN.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-JFET, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Diodes Incorporated DMN2300UFL4-7 electronic components. DMN2300UFL4-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN2300UFL4-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN2300UFL4-7 製品の属性

品番 : DMN2300UFL4-7
メーカー : Diodes Incorporated
説明 : MOSFET 2N-CH 20V 2.11A 6DFN
シリーズ : Automotive, AEC-Q101
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 N-Channel (Dual)
FET機能 : Standard
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 20V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 2.11A (Ta)
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 195 mOhm @ 300mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 950mV @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 3.2nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 128.6pF @ 25V
パワー-最大 : 1.39W
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 6-XFDFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ : X2-DFN1310-6 (Type B)

あなたも興味があるかもしれません
  • SI3585CDV-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP.

  • FDG6332C-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N/P-CH 20V SC70-6.

  • FDG8842CZ

    ON Semiconductor

    MOSFET N/P-CH 30V/25V SC70-6.

  • FDG6308P

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SC70-6.

  • FDG6317NZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SC70-6.

  • FDG8850NZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 30V 0.75A SC70-6.