Vishay Siliconix - SI5517DU-T1-GE3

KEY Part #: K6523144

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品番:
SI5517DU-T1-GE3
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-シングル and ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター)を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI5517DU-T1-GE3 製品の属性

品番 : SI5517DU-T1-GE3
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET
シリーズ : TrenchFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N and P-Channel
FET機能 : Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 20V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 6A
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 39 mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 16nC @ 8V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 520pF @ 10V
パワー-最大 : 8.3W
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : PowerPAK® ChipFET™ Dual
サプライヤーデバイスパッケージ : PowerPAK® ChipFet Dual

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