[299個在庫]
- 品番:
- ZXMHN6A07T8TA
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET 4N-CH 60V 1.4A SM8.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-SCR, トランジスタ-JFET, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated ZXMHN6A07T8TA electronic components. ZXMHN6A07T8TA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ZXMHN6A07T8TA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
ZXMHN6A07T8TA 製品の属性
品番 :
ZXMHN6A07T8TA
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET 4N-CH 60V 1.4A SM8
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
4 N-Channel (H-Bridge)
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
1.4A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
300 mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
3.2nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
166pF @ 40V
パワー-最大 :
1.6W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
SOT-223-8
サプライヤーデバイスパッケージ :
SM8
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