[4315個在庫]
- 品番:
- PHN210,118
- メーカー:
- NXP USA Inc.
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, パワードライバーモジュール, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ and ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in NXP USA Inc. PHN210,118 electronic components. PHN210,118 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PHN210,118, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
PHN210,118 製品の属性
品番 :
PHN210,118
メーカー :
NXP USA Inc.
説明 :
MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC
シリーズ :
TrenchMOS™
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
-
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
100 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.8V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
6nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
250pF @ 20V
パワー-最大 :
2W
動作温度 :
-65°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SO
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