SQJB60EP-T1_GE3 価格設定（USD） [164478個在庫]
- 1 pcs$0.22488
- 3,000 pcs$0.19003
- 品番:
- SQJB60EP-T1_GE3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-DIAC、SIDAC and パワードライバーモジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SQJB60EP-T1_GE3 electronic components. SQJB60EP-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQJB60EP-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SQJB60EP-T1_GE3 製品の属性
品番 :
SQJB60EP-T1_GE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
30A (Tc)
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
12 mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
30nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1600pF @ 25V
パワー-最大 :
48W
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
PowerPAK® SO-8 Dual
サプライヤーデバイスパッケージ :
PowerPAK® SO-8 Dual
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- AO8804L
- NTMFD4C85NT3G
- IRF7341QTRPBF
- AOD604
- SI7964DP-T1-E3
- AO4805L_101
- ECH8654-TL-HQ
- EMH2417R-TL-H
- SIZ914DT-T1-GE3
- VQ2001P-2
- VQ1006P-2
- FDMC8200S_F106
- APTMC60TL11CT3AG
- SIA914ADJ-T1-GE3
- AON6974
- SI7925DN-T1-E3
- SI5915BDC-T1-GE3
- SI4830ADY-T1-GE3
- SI4544DY-T1-GE3
- SIA950DJ-T1-GE3
- SI4511DY-T1-GE3
- BSL214NL6327HTSA1
- IRF8513TRPBF
- BSD223P L6327
- SI7842DP-T1-GE3
- NTLJD2104PTAG
- NTJD4001NT2G
- NTLJD3115PTAG
- ZXMN3A06N8TA
- ZXMN3A06DN8TC
- IRF7101PBF
- IRF5852TR
- NDS9956A
- STS9D8NH3LL
- AUIRF7103QTR
- SQJB80EP-T1_GE3
- SQJ968EP-T1_GE3
- BSC0924NDIATMA1
- SIZ300DT-T1-GE3
- BSL214NH6327XTSA1