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- 品番:
- IRLHS6376TR2PBF
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-ブリッジ整流器 and ダイオード-ツェナー-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRLHS6376TR2PBF electronic components. IRLHS6376TR2PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRLHS6376TR2PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRLHS6376TR2PBF 製品の属性
品番 :
IRLHS6376TR2PBF
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN
シリーズ :
HEXFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
3.6A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
63 mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.1V @ 10µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
2.8nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
270pF @ 25V
パワー-最大 :
1.5W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
6-VDFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ :
6-PQFN (2x2)
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