PMDPB80XP,115 価格設定（USD） [548511個在庫]
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- 品番:
- PMDPB80XP,115
- メーカー:
- Nexperia USA Inc.
- 詳細な説明:
- MOSFET 2P-CH 20V 2.7A HUSON6.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-特別な目的, パワードライバーモジュール, サイリスタ-DIAC、SIDAC and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Nexperia USA Inc. PMDPB80XP,115 electronic components. PMDPB80XP,115 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PMDPB80XP,115, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
PMDPB80XP,115 製品の属性
品番 :
PMDPB80XP,115
メーカー :
Nexperia USA Inc.
説明 :
MOSFET 2P-CH 20V 2.7A HUSON6
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 P-Channel (Dual)
FET機能 :
Logic Level Gate, 1.8V Drive
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
2.7A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
102 mOhm @ 2.7A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
8.6nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
550pF @ 10V
パワー-最大 :
485mW
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
6-UDFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ :
6-HUSON-EP (2x2)
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