EPC - EPC2100

KEY Part #: K6523302

EPC2100 価格設定(USD) [19847個在庫]

  • 1 pcs$2.07658

品番:
EPC2100
メーカー:
EPC
詳細な説明:
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-JFET and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in EPC EPC2100 electronic components. EPC2100 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EPC2100, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EPC2100 製品の属性

品番 : EPC2100
メーカー : EPC
説明 : GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
シリーズ : eGaN®
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 N-Channel (Half Bridge)
FET機能 : GaNFET (Gallium Nitride)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 10A (Ta), 40A (Ta)
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
パワー-最大 : -
動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : Die
サプライヤーデバイスパッケージ : Die
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