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- 品番:
- SIB414DK-T1-GE3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 8V 9A PPAK SC75-6.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-IGBT-シングル and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SIB414DK-T1-GE3 electronic components. SIB414DK-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIB414DK-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SIB414DK-T1-GE3 製品の属性
品番 :
SIB414DK-T1-GE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET N-CH 8V 9A PPAK SC75-6
シリーズ :
TrenchFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
8V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
9A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
1.2V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
26 mOhm @ 7.9A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
14.03nC @ 5V
Vgs（最大） :
±5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
732pF @ 4V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
2.4W (Ta), 13W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PowerPAK® SC-75-6L Single
パッケージ/ケース :
PowerPAK® SC-75-6L
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