NXP USA Inc. - BUK753R4-30B,127

KEY Part #: K6400106

[3513個在庫]


    品番:
    BUK753R4-30B,127
    メーカー:
    NXP USA Inc.
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-RF, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in NXP USA Inc. BUK753R4-30B,127 electronic components. BUK753R4-30B,127 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BUK753R4-30B,127, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BUK753R4-30B,127 製品の属性

    品番 : BUK753R4-30B,127
    メーカー : NXP USA Inc.
    説明 : MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
    シリーズ : TrenchMOS™
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 75A (Tc)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 3.4 mOhm @ 25A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 1mA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 75nC @ 10V
    Vgs(最大) : ±20V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 4951pF @ 25V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 255W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
    取付タイプ : Through Hole
    サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220AB
    パッケージ/ケース : TO-220-3

    あなたも興味があるかもしれません
    • LP0701N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET P-CH 16.5V 0.5A TO92-3.

    • TN0104N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 40V 0.45A TO92-3.

    • R6008ANX

      Rohm Semiconductor

      MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM.

    • IRFIZ48GPBF

      Vishay Siliconix

      MOSFET N-CH 60V 37A TO220FP.

    • IRLI630GPBF

      Vishay Siliconix

      MOSFET N-CH 200V 6.2A TO220FP.

    • PMG370XN,115

      NXP USA Inc.

      MOSFET N-CH 30V 0.96A 6TSSOP.