NXP USA Inc. - BUK753R4-30B,127

KEY Part #: K6400106

[3513個在庫]


    品番:
    BUK753R4-30B,127
    メーカー:
    NXP USA Inc.
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-特別な目的, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in NXP USA Inc. BUK753R4-30B,127 electronic components. BUK753R4-30B,127 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BUK753R4-30B,127, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BUK753R4-30B,127 製品の属性

    品番 : BUK753R4-30B,127
    メーカー : NXP USA Inc.
    説明 : MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
    シリーズ : TrenchMOS™
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 75A (Tc)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 3.4 mOhm @ 25A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 1mA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 75nC @ 10V
    Vgs(最大) : ±20V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 4951pF @ 25V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 255W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
    取付タイプ : Through Hole
    サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220AB
    パッケージ/ケース : TO-220-3

    あなたも興味があるかもしれません
    • LP0701N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET P-CH 16.5V 0.5A TO92-3.

    • TN0104N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 40V 0.45A TO92-3.

    • R6008ANX

      Rohm Semiconductor

      MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM.

    • IRFIZ48GPBF

      Vishay Siliconix

      MOSFET N-CH 60V 37A TO220FP.

    • IRLI630GPBF

      Vishay Siliconix

      MOSFET N-CH 200V 6.2A TO220FP.

    • PMG370XN,115

      NXP USA Inc.

      MOSFET N-CH 30V 0.96A 6TSSOP.