[1969個在庫]
- 品番:
- IPD60R600CPBTMA1
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 600V 6.1A TO-252.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, パワードライバーモジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IPD60R600CPBTMA1 electronic components. IPD60R600CPBTMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD60R600CPBTMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPD60R600CPBTMA1 製品の属性
品番 :
IPD60R600CPBTMA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 600V 6.1A TO-252
シリーズ :
CoolMOS™
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
6.1A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
600 mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3.5V @ 220µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
27nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
550pF @ 100V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
60W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TO252-3
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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