Vishay Siliconix - SI4833ADY-T1-GE3

KEY Part #: K6406102

[1435個在庫]


    品番:
    SI4833ADY-T1-GE3
    メーカー:
    Vishay Siliconix
    詳細な説明:
    MOSFET P-CH 30V 4.6A 8-SOIC.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, パワードライバーモジュール, ダイオード-整流器-アレイ and サイリスタ-SCR-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI4833ADY-T1-GE3 製品の属性

    品番 : SI4833ADY-T1-GE3
    メーカー : Vishay Siliconix
    説明 : MOSFET P-CH 30V 4.6A 8-SOIC
    シリーズ : LITTLE FOOT®
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : P-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 4.6A (Tc)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 72 mOhm @ 3.6A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 2.5V @ 250µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 15nC @ 10V
    Vgs(最大) : ±20V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 750pF @ 15V
    FET機能 : Schottky Diode (Isolated)
    消費電力(最大) : 1.93W (Ta), 2.75W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : 8-SO
    パッケージ/ケース : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)