Rohm Semiconductor - RQ1E100XNTR

KEY Part #: K6420763

RQ1E100XNTR 価格設定(USD) [247410個在庫]

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品番:
RQ1E100XNTR
メーカー:
Rohm Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 30V 10A TSMT8.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-トライアック, パワードライバーモジュール, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル and サイリスタ-SCRを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RQ1E100XNTR 製品の属性

品番 : RQ1E100XNTR
メーカー : Rohm Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 30V 10A TSMT8
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 10A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 10.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.5V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 12.7nC @ 5V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1000pF @ 10V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 550mW (Ta)
動作温度 : 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : TSMT8
パッケージ/ケース : 8-SMD, Flat Lead

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