ON Semiconductor - FDC3612_F095

KEY Part #: K6407978

[786個在庫]


    品番:
    FDC3612_F095
    メーカー:
    ON Semiconductor
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-SSOT.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, サイリスタ-SCR, サイリスタ-トライアック, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-整流器-アレイ and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in ON Semiconductor FDC3612_F095 electronic components. FDC3612_F095 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDC3612_F095, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FDC3612_F095 製品の属性

    品番 : FDC3612_F095
    メーカー : ON Semiconductor
    説明 : MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-SSOT
    シリーズ : PowerTrench®
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 100V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 2.6A (Ta)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 6V, 10V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 125 mOhm @ 2.6A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 20nC @ 10V
    Vgs(最大) : ±20V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 660pF @ 50V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 1.6W (Ta)
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : SuperSOT™-6
    パッケージ/ケース : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

    あなたも興味があるかもしれません