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ON Semiconductor - ECH8690-TL-H

KEY Part #: K6521860

ECH8690-TL-H 価格設定（USD） [290392個在庫]

  • 1 pcs$0.12737
  • 3,000 pcs$0.12616
品番:
ECH8690-TL-H
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N/P-CH 60V ECH8.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-JFET, ダイオード-RF, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-トライアック and トランジスタ-IGBT-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor ECH8690-TL-H electronic components. ECH8690-TL-H can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ECH8690-TL-H, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ECH8690-TL-H 製品の属性

品番 : ECH8690-TL-H
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N/P-CH 60V ECH8
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N and P-Channel
FET機能 : Logic Level Gate, 4V Drive
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 4.7A, 3.5A
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 55 mOhm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : -
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 18nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 955pF @ 20V
パワー-最大 : 1.5W
動作温度 : 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 8-SMD, Flat Lead
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-ECH

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