Rohm Semiconductor - QS6M4TR

KEY Part #: K6523025

QS6M4TR 価格設定(USD) [457093個在庫]

  • 1 pcs$0.08946
  • 3,000 pcs$0.08901

品番:
QS6M4TR
メーカー:
Rohm Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-JFET, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-特別な目的 and ダイオード-整流器-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Rohm Semiconductor QS6M4TR electronic components. QS6M4TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for QS6M4TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

QS6M4TR 製品の属性

品番 : QS6M4TR
メーカー : Rohm Semiconductor
説明 : MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N and P-Channel
FET機能 : Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V, 20V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 1.5A
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 230 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1.5V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 1.6nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 80pF @ 10V
パワー-最大 : 1.25W
動作温度 : 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
サプライヤーデバイスパッケージ : TSMT6 (SC-95)

あなたも興味があるかもしれません
  • IRF5810TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP.

  • FDY2000PZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.35A SOT-563F.

  • BSL308CH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A 6TSOP.

  • ZXMN2AM832TA

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP.

  • DMN2019UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8.

  • DMG8822UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP.