Microsemi Corporation - APTM100H45STG

KEY Part #: K6521931

APTM100H45STG 価格設定(USD) [665個在庫]

  • 1 pcs$69.67264
  • 10 pcs$65.11729
  • 25 pcs$62.84031

品番:
APTM100H45STG
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、パワードライバーモジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-整流器-シングル and ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター)を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Microsemi Corporation APTM100H45STG electronic components. APTM100H45STG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTM100H45STG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTM100H45STG 製品の属性

品番 : APTM100H45STG
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : 4 N-Channel (H-Bridge)
FET機能 : Standard
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 1000V (1kV)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 18A
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 540 mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 5V @ 2.5mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 154nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 4350pF @ 25V
パワー-最大 : 357W
動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : SP4
サプライヤーデバイスパッケージ : SP4

あなたも興味があるかもしれません
  • MMBF5434

    ON Semiconductor

    JFET N-CH 25V 0.35W SUPERSOT-23.

  • MMBFJ175

    ON Semiconductor

    JFET P-CH 30V 0.225W SOT23.

  • BSR58

    ON Semiconductor

    JFET N-CH 40V 0.25W SOT-23.

  • MMBFJ271

    ON Semiconductor

    JFET P-CH 30V 0.225W SOT23.

  • SI4808DY-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC.

  • SI4276DY-T1-E3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO.