APTM100H45STG 価格設定（USD） [665個在庫]
- 1 pcs$69.67264
- 10 pcs$65.11729
- 25 pcs$62.84031
- 品番:
- APTM100H45STG
- メーカー:
- Microsemi Corporation
- 詳細な説明:
- MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-特別な目的 and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Microsemi Corporation APTM100H45STG electronic components. APTM100H45STG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTM100H45STG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
APTM100H45STG 製品の属性
品番 :
APTM100H45STG
メーカー :
Microsemi Corporation
説明 :
MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
4 N-Channel (H-Bridge)
FET機能 :
Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
1000V (1kV)
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
18A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
540 mOhm @ 9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5V @ 2.5mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
154nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
4350pF @ 25V
パワー-最大 :
357W
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Chassis Mount
パッケージ/ケース :
SP4
サプライヤーデバイスパッケージ :
SP4
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