Diodes Incorporated - ZXMP6A17DN8TA

KEY Part #: K6522866

ZXMP6A17DN8TA 価格設定(USD) [132162個在庫]

  • 1 pcs$0.27986
  • 500 pcs$0.25542

品番:
ZXMP6A17DN8TA
メーカー:
Diodes Incorporated
詳細な説明:
MOSFET 2P-CH 60V 2.7A 8-SOIC.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, サイリスタ-SCR, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター)を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Diodes Incorporated ZXMP6A17DN8TA electronic components. ZXMP6A17DN8TA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ZXMP6A17DN8TA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ZXMP6A17DN8TA 製品の属性

品番 : ZXMP6A17DN8TA
メーカー : Diodes Incorporated
説明 : MOSFET 2P-CH 60V 2.7A 8-SOIC
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 P-Channel (Dual)
FET機能 : Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 60V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 2.7A
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 125 mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1V @ 250µA (Min)
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 17.7nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 637pF @ 30V
パワー-最大 : 1.81W
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-SOP

あなたも興味があるかもしれません
  • SI1926DL-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SOT363.

  • DMN2040LTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8TSSOP.

  • DMN2019UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8.

  • SH8K3TB1

    Rohm Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 30V 7A SOP8.

  • SI4804CDY-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC.

  • SH8M3TB1

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A SOP8.