FF8MR12W2M1B11BOMA1 価格設定（USD） [380個在庫]
- 1 pcs$122.02780
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET MODULE 1200V 150A.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, パワードライバーモジュール, トランジスタ-JFET, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies FF8MR12W2M1B11BOMA1 electronic components. FF8MR12W2M1B11BOMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FF8MR12W2M1B11BOMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FF8MR12W2M1B11BOMA1 製品の属性
品番 :
FF8MR12W2M1B11BOMA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET MODULE 1200V 150A
シリーズ :
CoolSiC™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Silicon Carbide (SiC)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
1200V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
150A (Tj)
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
7.5 mOhm @ 150A, 15V (Typ)
Vgs（th）（最大）@ Id :
5.55V @ 60mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
372nC @ 15V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
11000pF @ 800V
パワー-最大 :
20mW (Tc)
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Chassis Mount
パッケージ/ケース :
Module
サプライヤーデバイスパッケージ :
AG-EASY2BM-2
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