DF23MR12W1M1B11BPSA1 価格設定（USD） [945個在庫]
- 1 pcs$49.10844
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET MOD 1200V 25A.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-ブリッジ整流器 and サイリスタ-DIAC、SIDACを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies DF23MR12W1M1B11BPSA1 electronic components. DF23MR12W1M1B11BPSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DF23MR12W1M1B11BPSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DF23MR12W1M1B11BPSA1 製品の属性
品番 :
DF23MR12W1M1B11BPSA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET MOD 1200V 25A
シリーズ :
CoolSiC™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Silicon Carbide (SiC)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
1200V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
25A (Tj)
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
45 mOhm @ 25A, 15V (Typ)
Vgs（th）（最大）@ Id :
5.55V @ 10mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
62nC @ 15V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1840pF @ 800V
パワー-最大 :
20mW
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Chassis Mount
パッケージ/ケース :
Module
サプライヤーデバイスパッケージ :
AG-EASY1BM-2
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