Vishay Siliconix - SIA778DJ-T1-GE3

KEY Part #: K6524864

SIA778DJ-T1-GE3 価格設定(USD) [3689個在庫]

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品番:
SIA778DJ-T1-GE3
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-RF, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-トライアック and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIA778DJ-T1-GE3 製品の属性

品番 : SIA778DJ-T1-GE3
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6
シリーズ : TrenchFET®
部品ステータス : Obsolete
FETタイプ : 2 N-Channel (Dual)
FET機能 : Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 12V, 20V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 4.5A, 1.5A
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 29 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 15nC @ 8V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 500pF @ 6V
パワー-最大 : 6.5W, 5W
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : PowerPAK® SC-70-6 Dual
サプライヤーデバイスパッケージ : PowerPAK® SC-70-6 Dual