Infineon Technologies - FS45MR12W1M1B11BOMA1

KEY Part #: K6522812

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品番:
FS45MR12W1M1B11BOMA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET MODULE 1200V 50A.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, パワードライバーモジュール, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-SCR-モジュール and トランジスタ-JFETを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FS45MR12W1M1B11BOMA1 製品の属性

品番 : FS45MR12W1M1B11BOMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET MODULE 1200V 50A
シリーズ : CoolSiC™
部品ステータス : Active
FETタイプ : 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET機能 : Silicon Carbide (SiC)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 1200V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 25A (Tj)
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 45 mOhm @ 25A, 15V (Typ)
Vgs(th)(最大)@ Id : 5.55V @ 10mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 62nC @ 15V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1840pF @ 800V
パワー-最大 : 20mW (Tc)
動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Module
サプライヤーデバイスパッケージ : AG-EASY1BM-2