BSC072N03LDGATMA1 価格設定（USD） [160653個在庫]
- 1 pcs$0.23023
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター） and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies BSC072N03LDGATMA1 electronic components. BSC072N03LDGATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC072N03LDGATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BSC072N03LDGATMA1 製品の属性
品番 :
BSC072N03LDGATMA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON
シリーズ :
OptiMOS™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
11.5A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
7.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
41nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
3500pF @ 15V
パワー-最大 :
57W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-PowerVDFN
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TDSON-8 Dual
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