BSC072N03LDGATMA1 価格設定（USD） [160653個在庫]
- 1 pcs$0.23023
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies BSC072N03LDGATMA1 electronic components. BSC072N03LDGATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC072N03LDGATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BSC072N03LDGATMA1 製品の属性
品番 :
BSC072N03LDGATMA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON
シリーズ :
OptiMOS™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
11.5A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
7.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
41nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
3500pF @ 15V
パワー-最大 :
57W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-PowerVDFN
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TDSON-8 Dual
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