Nexperia USA Inc. - PMDXB550UNEZ

KEY Part #: K6525504

PMDXB550UNEZ 価格設定(USD) [729211個在庫]

  • 1 pcs$0.05072
  • 5,000 pcs$0.04424

品番:
PMDXB550UNEZ
メーカー:
Nexperia USA Inc.
詳細な説明:
MOSFET 2N-CH 30V 0.59A 6DFN.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Nexperia USA Inc. PMDXB550UNEZ electronic components. PMDXB550UNEZ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PMDXB550UNEZ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PMDXB550UNEZ 製品の属性

品番 : PMDXB550UNEZ
メーカー : Nexperia USA Inc.
説明 : MOSFET 2N-CH 30V 0.59A 6DFN
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 N-Channel (Dual)
FET機能 : Standard
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 590mA
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 670 mOhm @ 590mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 950mV @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 1.05nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 30.3pF @ 15V
パワー-最大 : 285mW
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 6-XFDFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ : DFN1010B-6

あなたも興味があるかもしれません
  • SQ3989EV-T1_GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2 P-CH 30V 2.5A 6TSOP.

  • 2N6028G

    ON Semiconductor

    THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92.

  • 2N6027G

    ON Semiconductor

    TRANS PROG UNIJUNCT 40V TO92.

  • 2N6028RLRMG

    ON Semiconductor

    THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92.

  • 2N6028RLRPG

    ON Semiconductor

    THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92.

  • 2N6027RL1G

    ON Semiconductor

    THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92.