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ON Semiconductor - NTLGD3502NT2G

KEY Part #: K6525321

NTLGD3502NT2G 価格設定（USD） [192787個在庫]

  • 1 pcs$0.19282
  • 3,000 pcs$0.19186
品番:
NTLGD3502NT2G
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-RF, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and トランジスタ-JFETを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor NTLGD3502NT2G electronic components. NTLGD3502NT2G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTLGD3502NT2G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NTLGD3502NT2G 製品の属性

品番 : NTLGD3502NT2G
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 N-Channel (Dual)
FET機能 : Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 4.3A, 3.6A
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 60 mOhm @ 4.3A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id : 2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 4nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 480pF @ 10V
パワー-最大 : 1.74W
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 6-VDFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ : 6-DFN (3x3)

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