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- 品番:
- APTM10TDUM19PG
- メーカー:
- Microsemi Corporation
- 詳細な説明:
- MOSFET 6N-CH 100V 70A SP6-P.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-シングル and サイリスタ-SCRを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Microsemi Corporation APTM10TDUM19PG electronic components. APTM10TDUM19PG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTM10TDUM19PG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
APTM10TDUM19PG 製品の属性
品番 :
APTM10TDUM19PG
メーカー :
Microsemi Corporation
説明 :
MOSFET 6N-CH 100V 70A SP6-P
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET機能 :
Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
70A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
21 mOhm @ 35A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
200nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
5100pF @ 25V
パワー-最大 :
208W
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Chassis Mount
パッケージ/ケース :
SP6
サプライヤーデバイスパッケージ :
SP6-P
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