ON Semiconductor - FDC6304P

KEY Part #: K6522731

FDC6304P 価格設定(USD) [449968個在庫]

  • 1 pcs$0.08261
  • 3,000 pcs$0.08220

品番:
FDC6304P
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET 2P-CH 25V 0.46A SSOT-6.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-トライアック, ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-SCR, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor FDC6304P electronic components. FDC6304P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDC6304P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDC6304P 製品の属性

品番 : FDC6304P
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET 2P-CH 25V 0.46A SSOT-6
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 P-Channel (Dual)
FET機能 : Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 25V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 460mA
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 1.1 Ohm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 1.5nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 62pF @ 10V
パワー-最大 : 700mW
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
サプライヤーデバイスパッケージ : SuperSOT™-6

あなたも興味があるかもしれません
  • SI3585CDV-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP.

  • FDG6332C-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N/P-CH 20V SC70-6.

  • FDG8842CZ

    ON Semiconductor

    MOSFET N/P-CH 30V/25V SC70-6.

  • FDG6308P

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SC70-6.

  • FDG6317NZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SC70-6.

  • FDG8850NZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 30V 0.75A SC70-6.