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ON Semiconductor - NVMFD5875NLWFT1G

KEY Part #: K6522660

NVMFD5875NLWFT1G 価格設定（USD） [171756個在庫]

  • 1 pcs$0.21535
  • 1,500 pcs$0.19577
品番:
NVMFD5875NLWFT1G
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, サイリスタ-SCR, サイリスタ-トライアック and ダイオード-ツェナー-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor NVMFD5875NLWFT1G electronic components. NVMFD5875NLWFT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NVMFD5875NLWFT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NVMFD5875NLWFT1G 製品の属性

品番 : NVMFD5875NLWFT1G
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 N-Channel (Dual)
FET機能 : Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 7A
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 33 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 3V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 20nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 540pF @ 25V
パワー-最大 : 3.2W
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 8-PowerTDFN
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

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