IPDD60R125G7XTMA1 価格設定（USD） [40573個在庫]
- 1 pcs$0.96369
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET NCH 650V 54A PG-HDSOP-10.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR-モジュール, サイリスタ-トライアック, ダイオード-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IPDD60R125G7XTMA1 electronic components. IPDD60R125G7XTMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPDD60R125G7XTMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPDD60R125G7XTMA1 製品の属性
品番 :
IPDD60R125G7XTMA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET NCH 650V 54A PG-HDSOP-10
シリーズ :
CoolMOS™ G7
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
20A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
125 mOhm @ 6.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 320µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
27nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1080pF @ 400V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
120W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-HDSOP-10-1
パッケージ/ケース :
10-PowerSOP Module
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