TK8A60W,S4VX 価格設定（USD） [43497個在庫]
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- 品番:
- TK8A60W,S4VX
- 詳細な説明:
- MOSFET N CH 600V 8A TO-220SIS.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-RF and サイリスタ-SCRを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK8A60W,S4VX electronic components. TK8A60W,S4VX can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK8A60W,S4VX, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TK8A60W,S4VX 製品の属性
品番 :
TK8A60W,S4VX
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
MOSFET N CH 600V 8A TO-220SIS
シリーズ :
DTMOSIV
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
8A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
500 mOhm @ 4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3.7V @ 400µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
18.5nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
570pF @ 300V
FET機能 :
Super Junction
消費電力（最大） :
30W (Tc)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220SIS
パッケージ/ケース :
TO-220-3 Full Pack
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